功能描述：MOSFET N-CH 40V 28A TO252

制造商：diodes incorporated

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：28A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：21.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1181pF @ 20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 6A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：1

DMN4026SSD-13

DMN4026SSD-13-F

DMN4026SSDQ-13

DMN4027SSD

DMN4027SSD-13

DMN4027SSS

DMN4027SSS-13

DMN4030LK3

DMN4030LK3-13

DMN4031SSD